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AOB470L  与  IRL2505STRLPBF  区别

型号 AOB470L IRL2505STRLPBF
唯样编号 A-AOB470L A-IRL2505STRLPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 3.8 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 180 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.2mΩ@30A,10V 8mΩ@54A,10V
Qgd(nC) 18 -
栅极电压Vgs ±25V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
Td(on)(ns) 21 -
封装/外壳 TO-263 D2PAK
连续漏极电流Id 100A 104A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 4700 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5000pF @ 25V
Trr(ns) 53 -
Td(off)(ns) 70 -
漏源极电压Vds 75V 55V
Pd-功率耗散(Max) 268W 3.8W(Ta),200W(Tc)
Qrr(nC) 143 -
VGS(th) 4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 5V
Coss(pF) 400 -
Qg*(nC) 114* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
170+ :  ¥4.7563
400+ :  ¥3.7197
800+ :  ¥2.9014
暂无价格
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