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AOD256  与  IRFR24N15DTRPBF  区别

型号 AOD256 IRFR24N15DTRPBF
唯样编号 A-AOD256 A-IRFR24N15DTRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 2.5 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 85mΩ@10V 95mΩ@14A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 100mΩ -
Qgd(nC) 1.2 -
栅极电压Vgs 20V ±30V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
Td(on)(ns) 6.5 -
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 19A 24A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 1165 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 890pF @ 25V
Trr(ns) 37 -
Td(off)(ns) 23 -
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 83W 140W(Tc)
Qrr(nC) 265 -
VGS(th) 2.8 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 890pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
Coss(pF) 61.5 -
Qg*(nC) 7 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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