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AOD2922  与  AUIRLR3410TR  区别

型号 AOD2922 AUIRLR3410TR
唯样编号 A-AOD2922 A-AUIRLR3410TR
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 AUIRLR3410 Series 100 V 105 mOhm Surface Mount HEXFET® Power MOSFET - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 2.5 -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 140mΩ@10V 105mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 53ns
Rds On(Max)@4.5V 176mΩ -
Qg-栅极电荷 - 34nC
Qgd(nC) 0.8 -
栅极电压Vgs 20V 16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
正向跨导 - 最小值 - 7.7S
Td(on)(ns) 5 -
封装/外壳 TO-252 -
连续漏极电流Id 7A 17A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 250 -
配置 - SingleQuintSource
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
下降时间 - 26ns
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 800pF
高度 - 2.3mm
Trr(ns) 19 -
Td(off)(ns) 19 -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 17W 79W
Qrr(nC) 52 -
VGS(th) 2.7 -
典型关闭延迟时间 - 30ns
FET类型 N-Channel N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 - 7.2ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC
Coss(pF) 19 -
Qg*(nC) 1.8 -
库存与单价
库存 283 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥1.1633
100+ :  ¥0.8382
1,000+ :  ¥0.7215
2,500+ :  ¥0.57
暂无价格
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