首页 > 商品目录 > > > > AOD2N60A代替型号比较

AOD2N60A  与  STD2HNK60Z  区别

型号 AOD2N60A STD2HNK60Z
唯样编号 A-AOD2N60A A-STD2HNK60Z
制造商 AOS STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 4.8 Ohm Surface Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 2.3 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4700mΩ@10V 4.8Ω@1A,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 1.8 -
栅极电压Vgs 30V ±30V
Td(on)(ns) 16 -
封装/外壳 TO-252 DPAK
连续漏极电流Id 2A 2A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 295 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 268 -
Td(off)(ns) 28 -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 57W 45W(Tc)
Qrr(nC) 1600 -
VGS(th) 4.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - SuperMESH™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 280pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
Coss(pF) 30 -
Qg*(nC) 6.5* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD2N60A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 当前型号
STD2LN60K3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 7,500 对比
STD2HNK60Z STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 5,000 对比
STD2LN60K3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
STD2HNK60Z STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售