AOD442 与 IRFR3806TRPBF 区别
| 型号 | AOD442 | IRFR3806TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOD442 | A-IRFR3806TRPBF |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 38A TO-252 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 116 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@10V | 15.8mΩ@25A,10V |
| ESD Diode | No | - |
| Rds On(Max)@4.5V | 25mΩ | - |
| Qgd(nC) | 14.4 | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V |
| Td(on)(ns) | 7.4 | - |
| 封装/外壳 | TO-252 | D-Pak |
| 连续漏极电流Id | 38A | 43A |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| Ciss(pF) | 1920 | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| Schottky Diode | No | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 50µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1150pF @ 50V |
| Trr(ns) | 3 | - |
| Td(off)(ns) | 28.2 | - |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 60W | 71W(Tc) |
| Qrr(nC) | 46 | - |
| VGS(th) | 3 | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1150pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 10V |
| Coss(pF) | 155 | - |
| Qg*(nC) | 24.2 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOD442 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V 20V 38A 60W 20mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STD35NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
|
IRFR3806TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 71W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15.8mΩ@25A,10V N-Channel 60V 43A D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
|
|
STD35NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPD350N06L G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 29A 35mΩ@29A,10V 10V 68W N-Channel -55°C~175°C TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BUK9225-55A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 94W 175°C 1.5V 55V 43A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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