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AOD464  与  IRLR2908PBF  区别

型号 AOD464 IRLR2908PBF
唯样编号 A-AOD464 A-IRLR2908PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 80 V 110 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 85 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 28mΩ@20A,10V 28mΩ@23A,10V
Rds On(Max)@4.5V 31mΩ -
Qgd(nC) 10 -
栅极电压Vgs ±25V ±16V
Td(on)(ns) 12.7 -
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 40A 39A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 2038 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1890pF @ 25V
Trr(ns) 59.6 -
Td(off)(ns) 31.5 -
漏源极电压Vds 105V 80V
Pd-功率耗散(Max) 100W 120W(Tc)
Qrr(nC) 161 -
VGS(th) 4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1890pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 4.5V
Coss(pF) 204 -
Qg*(nC) 38.5* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD464 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 当前型号
BUK7227-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7227-100B_SOT428

¥8.1273 

阶梯数 价格
490: ¥8.1273
1,000: ¥6.3002
1,250: ¥5.1641
2,500: ¥4.7377
0 对比
IRLR2908PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
PSMN025-100D,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN025-100D_SOT428

¥23.0698 

阶梯数 价格
400: ¥23.0698
1,000: ¥17.0887
1,250: ¥13.3506
2,500: ¥10.9431
0 对比
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TO-252-3

暂无价格 0 对比
DMNH10H028SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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