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AOD508  与  IRLR8743PBF  区别

型号 AOD508 IRLR8743PBF
唯样编号 A-AOD508 A-IRLR8743PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 135 W 39 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@20A,10V 3.1mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 50W 135W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 70A 160A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4880pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4880pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
510+ :  ¥4.2184
1,000+ :  ¥3.299
2,500+ :  ¥2.5732
暂无价格
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510: ¥4.2184
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1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
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359 对比
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