AOK30B60D1 与 IKW30N60H3 区别
| 型号 | AOK30B60D1 | IKW30N60H3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOK30B60D1 | A3f-IKW30N60H3 |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | IGBT晶体管 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 栅极—射极漏泄电流 | - | 100nA |
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | - | 60A |
| 功率 | - | 187W |
| 宽度 | - | 5.31mm |
| 脉冲电流 - 集电极 (Icm) | 96A | - |
| IGBT类型 | - | 沟槽型场截止 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | - | 600V |
| 脉冲电流-集电极(Icm) | - | 120A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V | - |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 60A | - |
| 栅极/发射极最大电压 | - | ±20V |
| 封装/外壳 | TO-247 | PG-TO247-3 |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 2.4V @ 15V,26A | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -40°C~175°C(TJ) |
| 配置 | - | Single |
| 开关能量 | 1.1mJ(开),240µJ(关) | 1.38mJ |
| 不同 Vge，Ic时的 Vce（on） | - | 2.4V @ 15V,30A |
| 在25 C的连续集电极电流 | - | 60A |
| 长度 | - | 15.87mm |
| 测试条件 | 400V,30A,10 欧姆,15V | 400V,30A,10.5 欧姆,15V |
| 高度 | - | 20.7mm |
| 25°C时Td（开/关）值 | - | 21ns/207ns |
| 反向恢复时间（trr） | 120ns | 38ns |
| Pd-功率耗散(Max) | 208W | - |
| 输入类型 | 标准 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | - | 600V |
| 系列 | - | HighSpeed3 |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 20ns/58ns | - |
| 集电极—射极饱和电压 | - | 1.95V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 240 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOK30B60D1 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
208W -55°C~150°C(TJ) TO-247 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STGW20NC60VD | STMicro | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247-3 |
暂无价格 | 17,790 | 对比 |
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STGW30NC60WD | STMicro | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247-3 |
暂无价格 | 1,200 | 对比 |
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STGW30NC60KD | STMicro | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247-3 |
暂无价格 | 600 | 对比 |
|
IKW30N60H3 | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
-40°C~175°C(TJ) PG-TO247-3 187W |
暂无价格 | 240 | 对比 |
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STGW30NC60WD | STMicro | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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