AON6264E 与 IRFH7107TRPBF 区别
| 型号 | AON6264E | IRFH7107TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AON6264E | A-IRFH7107TRPBF |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7107TRPBF, 75 A, Vds=75 V, 8引脚 PQFN封装 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.5mΩ@20A,10V | 8.5mΩ |
| ESD Diode | Yes | - |
| 引脚数目 | - | 8 |
| 最小栅阈值电压 | - | 2V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| 封装/外壳 | DFN 5x6 | - |
| 连续漏极电流Id | 28A | 75A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 长度 | - | 5.85mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms |
| 正向二极管电压 | - | 1.3V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 100µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3110pF |
| 高度 | - | 1.17mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 20 ns |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| 晶体管材料 | - | Si |
| Pd-功率耗散(Max) | 37.5W | 104W |
| 晶体管配置 | - | 单 |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 系列 | - | HEXFET |
| 典型接通延迟时间 | - | 9.1 ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 72nC |
| 正向跨导 | - | 68S |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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