首页 > 商品目录 > > > > AON6576代替型号比较

AON6576  与  RQ3E180AJTB  区别

型号 AON6576 RQ3E180AJTB
唯样编号 A-AON6576 A3-RQ3E180AJTB
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@20A,10V 4.5mΩ@18A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 26W 2W(Ta),30W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 5x6 8-PowerVDFN
连续漏极电流Id 32A 18A(Ta),30A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 11mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4290pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 当前型号
RQ3E180AJTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 100 对比
BSC050N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC050N03LS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC042N03ST Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC050N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC050N03MSGATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比
TPN4R303NL,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-TSONAdvance(3.1x3.1)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售