AON7408 与 RQ3E100MNTB1 区别
| 型号 | AON7408 | RQ3E100MNTB1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AON7408 | A-RQ3E100MNTB1 |
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 41 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@10V | 8.8mΩ |
| ESD Diode | No | - |
| 上升时间 | - | 17ns |
| Rds On(Max)@4.5V | 32mΩ | - |
| Qg-栅极电荷 | - | 9.9nC |
| Qgd(nC) | 1.6 | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | 2.5V |
| Td(on)(ns) | 4.3 | - |
| 封装/外壳 | DFN 3x3 EP | HSMT-8 |
| 连续漏极电流Id | 18A | 10A |
| Ciss(pF) | 373 | - |
| 配置 | - | Single |
| 下降时间 | - | 6ns |
| Schottky Diode | No | - |
| Trr(ns) | 10.5 | - |
| Td(off)(ns) | 15.8 | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 11W | 2W |
| Qrr(nC) | 4.5 | - |
| VGS(th) | 2.6 | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 31ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 典型接通延迟时间 | - | 7ns |
| Coss(pF) | 67 | - |
| Qg*(nC) | 7.1 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFHM8342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.6W(Ta),20W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 16mΩ@17A,10V N-Channel 30V 10A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFHM8337TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.8W(Ta),25W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
RQ3E100MNTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 2W 8.8mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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