AON7410 与 BSZ040N04LSGATMA1 区别
| 型号 | AON7410 | BSZ040N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AON7410 | A-BSZ040N04LSGATMA1 |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 2.1W(Ta),69W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@8A,10V | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 20W | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 5100pF @ 20V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | N 通道 |
| 封装/外壳 | DFN 3x3 EP | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) |
| 连续漏极电流Id | 24A | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2V @ 36uA |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 64nC @ 10V |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 4 毫欧 @ 20A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 18A(Ta),40A(Tc) |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4.5V,10V |
| 漏源电压(Vdss) | - | 40V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 10 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AON7410 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 24A 20W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 10 | 当前型号 |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) PG-TSDSON-8(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NTTFS4800NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NTTFS4800NTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |