AON7422G 与 RQ3E180GNTB 区别
| 型号 | AON7422G | RQ3E180GNTB |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AON7422G | A-RQ3E180GNTB |
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 210 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.6mΩ@10V | 4.3mΩ@18A,10V |
| ESD Diode | Yes | - |
| 上升时间 | - | 6.9ns |
| Rds On(Max)@4.5V | 7.2mΩ | - |
| Qg-栅极电荷 | - | 22.4nC |
| Qgd(nC) | 12 | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 17S |
| 封装/外壳 | DFN 3x3 EP | HSMT-8 |
| 连续漏极电流Id | 32A | 18A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| Ciss(pF) | 2300 | - |
| 配置 | - | Single |
| 下降时间 | - | 10.2ns |
| Schottky Diode | No | - |
| Trr(ns) | 11 | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 28W | 2W |
| Qrr(nC) | 15 | - |
| VGS(th) | 2.4 | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 56.8ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 典型接通延迟时间 | - | 16.5ns |
| Coss(pF) | 240 | - |
| Qg*(nC) | 20 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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AON7422G | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 32A 28W 4.6mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
¥5.8741
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2,775 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
¥5.8741
|
104 | 对比 | ||||||||||||||
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IRFH5304TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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AON7422E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 40A 36W 4.3mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |