AON7522E 与 RQ3E150BNTB 区别
| 型号 | AON7522E | RQ3E150BNTB | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AON7522E | A3-RQ3E150BNTB | ||
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4mΩ@20A,10V | 5.3mΩ@15A,10V | ||
| ESD Diode | Yes | - | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 31W | 2W(Ta) | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | DFN 3x3 EP | 8-PowerVDFN | ||
| 连续漏极电流Id | 34A | 15A(Ta) | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3000pF @ 15V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 45nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 100 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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AON7522E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥1.8864
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0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RQ3E150BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
￥5.6345
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2,810 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E150BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E150BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
￥6.9821
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100 | 对比 | ||||||||||||||
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IRFH5304TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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NTTFS4C06NTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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