AON7522E 与 RQ3E150BNTB 区别
| 型号 | AON7522E | RQ3E150BNTB | ||||||||
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| 唯样编号 | A-AON7522E | A32-RQ3E150BNTB-4 | ||||||||
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4mΩ@20A,10V | 5.3mΩ@15A,10V | ||||||||
| ESD Diode | Yes | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 31W | 2W(Ta) | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | DFN 3x3 EP | 8-PowerVDFN | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 34A | 15A(Ta) | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3000pF @ 15V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 45nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 750 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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AON7522E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥1.8864
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0 | 当前型号 | ||||||||||||
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RQ3E150BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
￥6.9296
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E150BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
￥6.9296
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E150BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
￥6.6721
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 30V 17.6A(Ta) |
￥1.408
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2,315 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E150BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
￥5.1752
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750 | 对比 |
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