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AOT10N60L  与  SPP08N80C3XKSA1  区别

型号 AOT10N60L SPP08N80C3XKSA1
唯样编号 A-AOT10N60L A-SPP08N80C3XKSA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 104W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 750 mΩ @ 5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 250W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1100pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
连续漏极电流Id 10A(Tc) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 470uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 650 毫欧 @ 5.1A,10V
栅极电荷Qg 40nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 8A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 800V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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