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AOT10N60  与  IPP60R750E6  区别

型号 AOT10N60 IPP60R750E6
唯样编号 A-AOT10N60 A-IPP60R750E6
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 9.3 -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 750mΩ@10V 680mΩ
ESD Diode No -
Qgd(nC) 14.4 -
栅极电压Vgs 30V 20V
Td(on)(ns) 28 -
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id 10A 5.7A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 1320 -
配置 - Single
长度 - 10mm
Schottky Diode No -
高度 - 15.65mm
Trr(ns) 290 -
Td(off)(ns) 76 -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 250W 48W
Qrr(nC) 3900 -
VGS(th) 4.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSE6
Coss(pF) 130 -
Qg*(nC) 31.1 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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