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AOT470  与  IRFB3607PBF  区别

型号 AOT470 IRFB3607PBF
唯样编号 A-AOT470 A-IRFB3607PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.5mΩ@30A,10V 9mΩ@46A,10V
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 268W 140W(Tc)
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
连续漏极电流Id 100A 80A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3070pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 84nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 5,000 1,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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