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AOT9N50  与  R5009FNX  区别

型号 AOT9N50 R5009FNX
唯样编号 A-AOT9N50 A-R5009FNX
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 7.8 -
功率耗散(最大值) - 50W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 850mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 10.6 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 630pF @ 25V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 19.5 -
封装/外壳 TO-220 TO-220FM
连续漏极电流Id 9A -
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 868 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 840 毫欧 @ 4.5A,10V
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 248 -
Td(off)(ns) 51.5 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 500V -
Pd-功率耗散(Max) 192W -
Qrr(nC) 3500 -
VGS(th) 4.5 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 500V
Coss(pF) 93 -
Qg*(nC) 23.6* -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 18nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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