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AOTF27S60L  与  STF24N60M2  区别

型号 AOTF27S60L STF24N60M2
唯样编号 A-AOTF27S60L A-STF24N60M2
制造商 AOS STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 190 mO Flange Mount MDMesh II Plus Mosfet - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 2.3 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 160mΩ@10V 190mΩ@9A,10V
ESD Diode No -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 50W 30W(Tc)
Qrr(nC) 7.5 -
VGS(th) 4 -
Qgd(nC) 8.8 -
栅极电压Vgs 30V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220F TO-220FP
连续漏极电流Id 27A 18A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1294 -
系列 - MDmesh™ II Plus
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1060pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 440 -
Coss(pF) 80 -
Qg*(nC) 26 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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