AOTF42S60L 与 IPP65R125C7 区别
| 型号 | AOTF42S60L | IPP65R125C7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOTF42S60L | A-IPP65R125C7 |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 2.7 | - |
| 宽度 | - | 4.4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 99mΩ@10V | 111mΩ |
| ESD Diode | No | - |
| 上升时间 | - | 15ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 35nC |
| Qgd(nC) | 11.9 | - |
| 栅极电压Vgs | 30V | 20V |
| Td(on)(ns) | 38.5 | - |
| 封装/外壳 | TO-220F | - |
| 连续漏极电流Id | 39A | 18A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| Ciss(pF) | 2154 | - |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10mm |
| 下降时间 | - | 8ns |
| Schottky Diode | No | - |
| 高度 | - | 15.65mm |
| Trr(ns) | 473 | - |
| Td(off)(ns) | 136 | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | 650V |
| Pd-功率耗散(Max) | 37.9W | 101W |
| Qrr(nC) | 10500 | - |
| VGS(th) | 3.8 | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 71ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | CoolMOSC7 |
| 典型接通延迟时间 | - | 14ns |
| Coss(pF) | 135 | - |
| Qg*(nC) | 40* | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOTF42S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V 30V 39A 37.9W 99mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IPP65R110CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 31.2A 110mΩ 20V 277.8W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IPP65R125C7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 18A 111mΩ 20V 101W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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