AUIRFR8401TRL 与 RD3G500GNTL 区别
| 型号 | AUIRFR8401TRL | RD3G500GNTL | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-AUIRFR8401TRL | A33-RD3G500GNTL | ||||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.25mΩ@60A,10V | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 79W(Tc) | 35W(Tc) | ||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 4.9mOhms@50A,10V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 2.5V@1mA | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252-3 | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 100A(Tc) | 50A(Tc) | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||
| 栅极电荷Qg | - | 31nC@10V | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.9V @ 50µA | - | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2200pF @ 25V | - | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 63nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,471 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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AUIRFR8401TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 100A(Tc) ±20V 79W(Tc) 4.25mΩ@60A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RD3G500GNTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
50A(Tc) N-Channel 2.5V@1mA 35W(Tc) TO-252-3 150°C(TJ) 40V |
￥8.423
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2,471 | 对比 | ||||||||||||||
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RD3G500GNTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
50A(Tc) N-Channel 2.5V@1mA 35W(Tc) TO-252-3 150°C(TJ) 40V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SQD50N04-5M6_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 50A(Tc) ±20V 71W(Tc) 5.6mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,DPak,SC-63 车规 |
暂无价格 | 25 | 对比 |
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