首页 > 商品目录 > > > > AUIRFR8403TRL代替型号比较

AUIRFR8403TRL  与  IPD90N04S4-03  区别

型号 AUIRFR8403TRL IPD90N04S4-03
唯样编号 A-AUIRFR8403TRL A-IPD90N04S4-03
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@76A,10V 2.7mΩ
上升时间 - 11ns
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 99W(Tc) 94W
Qg-栅极电荷 - 66nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 14ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK -
连续漏极电流Id 100A(Tc) 90A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS-T2
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 15ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3171pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 99nC @ 10V -
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFR8403TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
IPD90N04S304ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD90N04S3-04_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252

暂无价格 0 对比
IPD90N04S4-03 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD90N04S403ATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
DMTH4004LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-252-5,Dpak,TO-252AD

暂无价格 0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售