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AUIRLR3410TRL  与  DMN10H170SK3-13  区别

型号 AUIRLR3410TRL DMN10H170SK3-13
唯样编号 A-AUIRLR3410TRL A-DMN10H170SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 AUIRLR3410 Series 100 V 105 mOhm 17 A Hexfet Power Mosfet - TO-252-3 (DPAK) MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ@10A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 42W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 140mΩ@5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1167 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±16V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.7 nC @ 10 V
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 17A 12A(Tc)
系列 汽车级,AEC-Q101,HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRLR3410TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
AOD478 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥2.5323 

阶梯数 价格
1: ¥2.5323
100: ¥1.9926
1,000: ¥1.5583
2,500: ¥1.2155
7 对比
AUIRLR3410TR Infineon  数据手册 功率MOSFET

6.5mm

暂无价格 0 对比
IRLR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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