BSC014N04LS 与 SIRA52DP-T1-GE3 区别
| 型号 | BSC014N04LS | SIRA52DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSC014N04LS | A3t-SIRA52DP-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | 系列:OptiMOS™ | N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | SuperSO8 | PowerPAK® SO-8 |
| 连续漏极电流Id | 100A | 60A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.4mΩ@50A,10V | 1.7 mOhms @ 15A,10V |
| 系列 | OptiMOS™ | - |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 96W | 48W(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | +20V,-16V |
| Vgs(th) | - | 2.4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC014N04LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
40V 100A 1.4mΩ@50A,10V ±20V 96W N-Channel -55°C~150°C SuperSO8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIRA52DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 1.7 mOhms @ 15A,10V 48W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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