BSC019N04NSGATMA1 与 AON6428 区别
| 型号 | BSC019N04NSGATMA1 | AON6428 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSC019N04NSGATMA1 | A-AON6428 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),125W(Tc) | - | ||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 10mΩ@20A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 30W | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 8800pF @ 20V | - | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TDSON-8 | DFN 5x6 | ||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 85uA | - | ||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 108nC @ 10V | - | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | - | 43A | ||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 1.9 毫欧 @ 50A,10V | - | ||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 30A(Ta),100A(Tc) | - | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 40V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
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