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BSC025N03MSGATMA1  与  RS1E280BNTB  区别

型号 BSC025N03MSGATMA1 RS1E280BNTB
唯样编号 A-BSC025N03MSGATMA1 A3-RS1E280BNTB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),83W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.3mΩ@28A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta),30W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 28A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.5 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 23A(Ta). 100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5100pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 94nC @ 10V
库存与单价
库存 0 90
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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阶梯数 价格
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2,500: ¥3.129
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