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BSC027N04LSGATMA1  与  RS1G260MNTB  区别

型号 BSC027N04LSGATMA1 RS1G260MNTB
唯样编号 A-BSC027N04LSGATMA1 A33-RS1G260MNTB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ@26A,10V
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta),35W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 PG-TDSON-8(6x5) 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id - 26A(Ta)
工作温度 - 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2988pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 44nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,485
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥8.2122
50+ :  ¥6.2861
100+ :  ¥5.6441
300+ :  ¥5.2129
500+ :  ¥5.1266
1,000+ :  ¥5.0596
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC027N04LSGATMA1 Infineon  数据手册 通用MOSFET

PG-TDSON-8(6x5)

暂无价格 0 当前型号
RS1G260MNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 26A(Ta) ±20V 3W(Ta),35W(Tc) 3.3mΩ@26A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥8.2122 

阶梯数 价格
20: ¥8.2122
50: ¥6.2861
100: ¥5.6441
300: ¥5.2129
500: ¥5.1266
1,000: ¥5.0596
1,485 对比
RS1G260MNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 26A(Ta) ±20V 3W(Ta),35W(Tc) 3.3mΩ@26A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

暂无价格 120 对比
RS1G260MNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 26A(Ta) ±20V 3W(Ta),35W(Tc) 3.3mΩ@26A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥15.6076 

阶梯数 价格
1: ¥15.6076
100: ¥9.0212
1,250: ¥5.7194
2,500: ¥4.1351
100 对比
IRFH5004TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.6W(Ta),156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 2.6mΩ@50A,10V N-Channel 40V 28A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
DMTH4004SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 31A(Ta),100A(Tc) ±20V 2.7 毫欧 @ 90A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-PowerTDFN 车规

暂无价格 0 对比

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