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BSC030N03LSGATMA1  与  BSC882N03LSGATMA1  区别

型号 BSC030N03LSGATMA1 BSC882N03LSGATMA1
唯样编号 A-BSC030N03LSGATMA1 A-BSC882N03LSGATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON MOSFET N-CH 34V 8TDSON
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V 3700pF @ 15V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA 2.2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V 46nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3 毫欧 @ 30A,10V 4.2 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 23A(Ta),100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 10V
漏源电压(Vdss) 30V 34V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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暂无价格 0 当前型号
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