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BSC030N03MSGATMA1  与  RS1E240GNTB  区别

型号 BSC030N03MSGATMA1 RS1E240GNTB
唯样编号 A-BSC030N03MSGATMA1 A-RS1E240GNTB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ@24A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta),27.4W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5700pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 73nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 24A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 21A(Ta),100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1500pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 10V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥10.417
100+ :  ¥6.021
1,250+ :  ¥3.8173
2,500+ :  ¥2.7599
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¥10.417 

阶梯数 价格
1: ¥10.417
100: ¥6.021
1,250: ¥3.8173
2,500: ¥2.7599
100 对比

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