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BSC070N10NS5ATMA1  与  IMC0402ERR12J01  区别

型号 BSC070N10NS5ATMA1 IMC0402ERR12J01
唯样编号 A-BSC070N10NS5ATMA1 A3t-IMC0402ERR12J01
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 贴片电感
描述 MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),83W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
电感 - 120nH
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 50V -
FET类型 N 通道 -
额定电流 - 100mA
封装/外壳 PG-TDSON-8(6x5) 0402
DC电阻(DCR) - 2.66 Ohms
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 50uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C~125°C
偏差 - ±5%
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7 毫欧 @ 40A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC070N10NS5ATMA1 Infineon  数据手册 通用MOSFET

N 通道 -55°C~150°C(TJ) PG-TDSON-8(6x5)

暂无价格 0 当前型号
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5.4W(Ta),83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 8.7mΩ 2.8V

暂无价格 200 对比
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5.4W(Ta),83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 8.7mΩ 2.8V

暂无价格 0 对比
IMC0402ERR12J01 Vishay  数据手册 贴片电感

2.66 Ohms ±5% 0402 120nH 100mA

暂无价格 0 对比

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