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BSC100N03MSGATMA1  与  AON6410  区别

型号 BSC100N03MSGATMA1 AON6410
唯样编号 A-BSC100N03MSGATMA1 A-AON6410
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2W(Ta),35W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-DFN(5x6)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10A(Ta),24A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg - 28nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 12A(Ta),44A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC100N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC100N03MS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
RS1E150GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

¥6.2394 

阶梯数 价格
1: ¥6.2394
100: ¥3.6064
1,250: ¥2.2865
2,500: ¥1.6531
92 对比
RS1E150GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 85 对比
AON6410 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

暂无价格 0 对比
AON6428 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥2.0522 

阶梯数 价格
480: ¥2.0522
1,000: ¥1.6148
1,500: ¥1.2629
3,000: ¥0.985
0 对比

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