BSC190N15NS3GATMA1 与 FDMS86200 区别
| 型号 | BSC190N15NS3GATMA1 | FDMS86200 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSC190N15NS3GATMA1 | A3-FDMS86200 |
| 制造商 | Infineon Technologies | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 125W(Tc) | - |
| 功率 | - | 2.5W(Ta),104W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 18 毫欧 @ 9.6A,10V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2420pF @ 75V | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| 封装/外壳 | PG-TDSON-8(6x5) | PDFN-8(4.9x5.8) |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 31nC @ 10V | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 9.6A(Ta),35A(Tc) |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 19 毫欧 @ 50A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 8V,10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2715pF @ 75V |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 漏源极电压Vds | - | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta),104W(Tc) |
| FET类型 | N 通道 | N-Channel |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 90uA | - |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 75V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2715pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 46nC @ 10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 50A(Tc) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 46nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 999 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSC190N15NS3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) PG-TDSON-8(6x5) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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FDMS86200 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 18m Ohms@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 150V 9.6A 9.6A(Ta),35A(Tc) 18 毫欧 @ 9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) PDFN-8(4.9x5.8) |
暂无价格 | 999 | 对比 | |||||||||
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FDMS86200 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 18m Ohms@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 150V 9.6A 9.6A(Ta),35A(Tc) 18 毫欧 @ 9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) PDFN-8(4.9x5.8) |
￥5.929
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928 | 对比 | |||||||||
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FDMS86200 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 18m Ohms@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 150V 9.6A 9.6A(Ta),35A(Tc) 18 毫欧 @ 9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) PDFN-8(4.9x5.8) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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SIR872ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 53.7A 104W 18mΩ 150V 2.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SIR872ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 53.7A 104W 18mΩ 150V 2.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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