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BSC252N10NSFGATMA1  与  DMNH10H028SPSQ-13  区别

型号 BSC252N10NSFGATMA1 DMNH10H028SPSQ-13
唯样编号 A-BSC252N10NSFGATMA1 A-DMNH10H028SPSQ-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 78W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 1.6W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 28mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 50V 2245 pF @ 50 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 36 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerTDFN PowerDI5060-8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 43uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id - 40A(Tc)
驱动电压 - 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 25.2 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 7.2A(Ta),40A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC252N10NSFGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC252N10NSF G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
DMNH10H028SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

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