BSL215CH6327XTSA1 与 AO6604 区别
| 型号 | BSL215CH6327XTSA1 | AO6604 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSL215CH6327XTSA1 | A36-AO6604 |
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 27 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 65mΩ@3.4A,4.5V |
| Rds On(Max)@1.8V | - | 100mΩ |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Rds On(Max)@2.5V | - | 75mΩ |
| Qgd(nC) | - | 0.6 |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 143pF @ 10V | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±8V |
| Td(on)(ns) | - | 2.5 |
| 封装/外壳 | TSOP-6-6 | TSOP-6 |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.73nC @ 4.5V | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | - | 3.4A |
| Ciss(pF) | - | 260 |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V | - |
| Trr(ns) | - | 14 |
| Td(off)(ns) | - | 21 |
| 功率-最大值 | 500mW | - |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.1W |
| Qrr(nC) | - | 3.8 |
| VGS(th) | - | 1 Ohms |
| FET类型 | N 和 P 沟道互补型 | N-Channel |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 3.7uA | - |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 1.5A | - |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | - |
| Coss(pF) | - | 48 |
| Qg*(nC) | - | 2.9 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 5 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSL215CH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 和 P 沟道互补型 -55°C~150°C(TJ) 车规 TSOP-6-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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FDC6420C | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
￥2.068
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2,890 | 对比 | ||||||||||||
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AO6604 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 20V ±8V 3.4A 1.1W 65mΩ@3.4A,4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 5 | 对比 | ||||||||||
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FDC6420C | ON Semiconductor | 通用MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AO6604 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 20V ±8V 3.4A 1.1W 65mΩ@3.4A,4.5V -55°C~150°C |
￥1.1706
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0 | 对比 |
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