BSP129H6327XTSA1 与 SIHFL210-GE3 区别
| 型号 | BSP129H6327XTSA1 | SIHFL210-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSP129H6327XTSA1 | A3t-SIHFL210-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 |
| 描述 | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 1.8W(Ta) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 产品特性 | 车规 | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 108pF @ 25V | - |
| FET类型 | N 通道 | - |
| 封装/外壳 | PG-SOT223-4 | - |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1V @ 108uA | - |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5.7nC @ 5V | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| FET功能 | 耗尽模式 | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 6 欧姆 @ 350mA,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 350mA(Ta) | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 0V,10V | - |
| 漏源电压(Vdss) | 240V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSP129H6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 PG-SOT223-4 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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BSP129 H6906 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
240V 350mA 4.2Ω 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHFL210-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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