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BSP296NH6327XTSA1  与  ZVN4310GTA  区别

型号 BSP296NH6327XTSA1 ZVN4310GTA
唯样编号 A-BSP296NH6327XTSA1 A-ZVN4310GTA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 540mΩ@3.3A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 152.7pF @ 25V 350 pF @ 25 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA SOT-223-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 100uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 1.67A(Ta)
驱动电压 - 5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 1.2A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.2A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSP296NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP296N H6327_TO-261-4,TO-261AA

暂无价格 0 当前型号
ZVN4310GTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-223-3

暂无价格 0 对比
BSP296NH6433XTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP296N H6433_TO-261-4,TO-261AA

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BSP296N H6433 Infineon 功率MOSFET

BSP296NH6433XTMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比

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