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BSP315PH6327XTSA1  与  DMP6250SE-13  区别

型号 BSP315PH6327XTSA1 DMP6250SE-13
唯样编号 A-BSP315PH6327XTSA1 A-DMP6250SE-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 250mΩ@1A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 1.8W(Ta),14W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA SOT-223
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 160uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.8nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.1A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 551pF @ 30V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 800 毫欧 @ 1.17A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.7nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.17A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSP315PH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP315P H6327_TO-261-4,TO-261AA

暂无价格 0 当前型号
DMP6250SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

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