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BSS119NH6327XTSA1  与  BSS123TA  区别

型号 BSS119NH6327XTSA1 BSS123TA
唯样编号 A-BSS119NH6327XTSA1 A-BSS123TA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 BSS123 Series 100 V 6 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6Ω@100mA,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 360mW(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 20.9pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 13uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.6nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 0.17A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.8V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 20pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6 欧姆 @ 190mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 190mA(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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