BSS123NH6327XTSA1 与 BSS123-7-F 区别
隐藏相同项高亮不同项

规格信息
型号	BSS123NH6327XTSA1	BSS123-7-F
唯样编号	A-BSS123NH6327XTSA1	A3-BSS123-7-F
制造商	Infineon Technologies	Diodes Incorporated
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	小信号MOSFET
描述	N-Channel 100 V 190 mA 6 O 0.6 nC OptiMOS Small Signal Transistor - SOT-23
数据表	BSS123NH6327XTSA1.pdf	ds30366-255773.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
宽度	-	1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs	6Ω@190mA,10V	6Ω@170mA,10V
上升时间	-	8ns
产品特性	车规	-
栅极电压Vgs	±20V	±20V
正向跨导 - 最小值	-	0.08S
封装/外壳	SOT-23-3	SOT-23
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	0.19A	170mA
配置	-	Single
长度	-	2.9mm
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	10V
下降时间	-	8ns
高度	-	1mm
漏源极电压Vds	100V	100V
Pd-功率耗散(Max)	500mW(Ta)	300mW
典型关闭延迟时间	-	13ns
FET类型	N-Channel	N-Channel
系列	OptiMOS™	BSS123
通道数量	-	1Channel
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.8V @ 13µA	2V @ 1mA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	20.9pF @ 25V	60pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	0.9nC @ 10V	-
典型接通延迟时间	-	8ns
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
BSS123NH6327XTSA1	Infineon	数据手册	通用MOSFET	±20V 500mW(Ta) 6Ω@190mA,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 100V 0.19A 车规 SOT-23-3	暂无价格	0	当前型号
BSS123-7-F	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	-55°C~150°C(TJ) SOT-23 170mA 300mW 6Ω@170mA,10V 100V ±20V N-Channel	暂无价格	102	对比
BSS123-7-F	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	-55°C~150°C(TJ) SOT-23 170mA 300mW 6Ω@170mA,10V 100V ±20V N-Channel	暂无价格	0	对比
BSS123-7-F	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	-55°C~150°C(TJ) SOT-23 170mA 300mW 6Ω@170mA,10V 100V ±20V N-Channel	暂无价格	0	对比
BSS123N H6433	Infineon	数据手册	小信号MOSFET	100V 190mA 2.4Ω 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规	暂无价格	0	对比