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BSS138NH6327XTSA2  与  DMN65D8L-7  区别

型号 BSS138NH6327XTSA2 DMN65D8L-7
唯样编号 A-BSS138NH6327XTSA2 A3-DMN65D8L-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 DMN65D8L: 60 V 3 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 360mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3Ω@115mA,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 370mW(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 41pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 26uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.4nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 0.31A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 22pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.5 欧姆 @ 230mA,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.87nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 230mA(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 5V,10V
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 129,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS138NH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS138N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

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2N7002K_R1_00001 Panjit  数据手册 小信号MOSFET

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BSS138-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3 2.9mm

¥0.2134 

阶梯数 价格
1,000: ¥0.2134
0 对比
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BSS138NH6433XTMA1_2.9mm

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BSS138-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3 2.9mm

暂无价格 0 对比

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