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BSS138TA  与  BSS138NH6327XTSA2  区别

型号 BSS138TA BSS138NH6327XTSA2
唯样编号 A-BSS138TA A-BSS138NH6327XTSA2
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 50 V 3.5 Ohm Enhancement Mode FET-SOT-23 -use Diodes BSS138-7-F MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm -
功率耗散(最大值) - 360mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5Ω@220mA,10V -
上升时间 10ns -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 41pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 200mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.4nC @ 10V
配置 Single -
长度 2.9mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.5 欧姆 @ 230mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 25ns -
高度 1mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 50V -
Pd-功率耗散(Max) 350mW -
典型关闭延迟时间 15ns -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 26uA
通道数量 1Channel -
系列 BSS138 -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 230mA(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
典型接通延迟时间 10ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS138TA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 2.9mm

暂无价格 0 当前型号
BSS138N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

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BSS138LT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.9mm SOT-23

¥0.2297 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.2297
0 对比
BSS138NH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS138N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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