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BSS214NH6327XTSA1  与  XP151A12A2MR-G  区别

型号 BSS214NH6327XTSA1 XP151A12A2MR-G
唯样编号 A-BSS214NH6327XTSA1 A-XP151A12A2MR-G
制造商 Infineon Technologies Torex Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3 MOSFET N-CH 20V 1A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 160mΩ
上升时间 - 15ns
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 143pF @ 10V -
栅极电压Vgs - 12V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.8nC @ 5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 1A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V -
Vgs(最大值) ±12V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V -
下降时间 - 45ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 500mW(1/2W)
典型关闭延迟时间 - 50ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 3.7uA -
系列 - XP151A
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.5A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 20V -
典型接通延迟时间 - 10ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS214NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS214N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
DMN2300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 75,000 对比
XP151A12A2MR-G Torex Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
DMN2230UQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
BSH105,235 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH105_SOT23

¥0.8362 

阶梯数 价格
2,470: ¥0.8362
5,000: ¥0.6854
10,000: ¥0.6175
0 对比
BSH105,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH105_SOT23

¥1.0787 

阶梯数 价格
580: ¥1.0787
1,000: ¥0.8362
1,500: ¥0.6854
3,000: ¥0.6175
0 对比

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