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BSS215PH6327XTSA1  与  SSM3J375F,LF  区别

型号 BSS215PH6327XTSA1 SSM3J375F,LF
唯样编号 A-BSS215PH6327XTSA1 A-SSM3J375F,LF
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 20 V
Pd-功率耗散(Max) - 600mW(Ta)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 150 毫欧 @ 1A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 346pF @ 15V 270 pF @ 10 V
Vgs(th) - 1V @ 1mA
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 4.6 nC @ 4.5 V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 S-Mini
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 11uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C
连续漏极电流Id - 2A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 150 毫欧 @ 1.5A,4.5V -
Vgs(最大值) ±12V +6V,-8V
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.5A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V 1.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) 20V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS215PH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS215P H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
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DMP2225L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

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