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BSS84-7-F  与  BSS84PH6327XTSA2  区别

型号 BSS84-7-F BSS84PH6327XTSA2
唯样编号 A-BSS84-7-F A-BSS84PH6327XTSA2
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm -
功率耗散(最大值) - 360mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 10Ω@100mA,5V -
Qg-栅极电荷 0.28nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 19pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
正向跨导 - 最小值 0.05S -
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 130mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.5nC @ 10V
配置 Single -
长度 2.9mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8 欧姆 @ 170mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
高度 1mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 50V -
Pd-功率耗散(Max) 300mW -
典型关闭延迟时间 18ns -
FET类型 N-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 20uA
系列 BSS84 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 45pF @ 25V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 170mA(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
典型接通延迟时间 10ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
490+ :  ¥0.4802
1,000+ :  ¥0.3557
1,500+ :  ¥0.2964
3,000+ :  ¥0.2316
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS84-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3 2.9mm

¥0.4802 

阶梯数 价格
490: ¥0.4802
1,000: ¥0.3557
1,500: ¥0.2964
3,000: ¥0.2316
0 当前型号
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¥0.2858 

阶梯数 价格
10: ¥0.2858
100: ¥0.2117
1,000: ¥0.1641
1,500: ¥0.1345
3,000: ¥0.119
16,820 对比
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阶梯数 价格
570: ¥0.3513
1,000: ¥0.2723
1,500: ¥0.2232
3,000: ¥0.1975
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