BSZ019N03LS 与 SISA04DN-T1-GE3 区别
| 型号 | BSZ019N03LS | SISA04DN-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSZ019N03LS | A3t-SISA04DN-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | 系列:OptiMOS™ | Single N-Channel 30 V 2.15 mOhm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK 1212-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | PG-TSDSON-8-FL | PowerPAK® 1212-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 149A | 40A(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.9mΩ@20A,10V | 2.15 mOhms @ 15A,10V |
| 系列 | OptiMOS™ | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 69W | 3.7W(Ta),52W(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | +20V,-16V |
| Vgs(th) | - | 2.2V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 5,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSZ019N03LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TSDSON-8-FL N-Channel 69W 1.9mΩ@20A,10V -55°C~150°C ±20V 30V 149A |
暂无价格 | 5,000 | 当前型号 |
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SISA04DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 2.15 mOhms @ 15A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SISA04DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 2.15 mOhms @ 15A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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