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BSZ034N04LSATMA1  与  RH6G040BGTB1  区别

型号 BSZ034N04LSATMA1 RH6G040BGTB1
唯样编号 A-BSZ034N04LSATMA1 A3-RH6G040BGTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON Nch 40V 95A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),52W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.6mΩ@40A,10V
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 59W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 20V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN HSMT8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id - 95A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.4 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 19A(Ta),40A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 40V -
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ034N04LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ034N04LS_8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
DMTH4004SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

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RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

暂无价格 100 对比
RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥4.5827 

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