BSZ034N04LS 与 SIS488DN-T1-GE3 区别
| 型号 | BSZ034N04LS | SIS488DN-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSZ034N04LS | A3t-SIS488DN-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | SiS488DN Series 40 V 40 A 5.5 mOhm N-Channel Mosfet - PowerPAK® 1212-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 52W | 3.7W(Ta),52W(Tc) |
| 上升时间 | 4ns | - |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Qg-栅极电荷 | 35nC | - |
| Vgs(th) | - | 2.2V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | 20V | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 46S | - |
| 典型关闭延迟时间 | 19ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | PG-TSDSON-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| 连续漏极电流Id | 40A | 40A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 系列 | OptiMOS5 | - |
| 长度 | 3.3mm | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 下降时间 | 3ns | - |
| 导通电阻Rds(On) | 2.7mΩ | 5.5 mOhms @ 20A,10V |
| 高度 | 1.10mm | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSZ034N04LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
40V 40A 2.7mΩ 20V 52W N-Channel -55°C~150°C PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIS488DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 5.5 mOhms @ 20A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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