BSZ040N04LSGATMA1 与 AON7408 区别
| 型号 | BSZ040N04LSGATMA1 | AON7408 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSZ040N04LSGATMA1 | A-AON7408 |
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 41 |
| 功率耗散(最大值) | 2.1W(Ta),69W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 20mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 32mΩ |
| Qgd(nC) | - | 1.6 |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 5100pF @ 20V | - |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| Td(on)(ns) | - | 4.3 |
| 封装/外壳 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | DFN 3x3 EP |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 64nC @ 10V | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | - | 18A |
| Ciss(pF) | - | 373 |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 4 毫欧 @ 20A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 10.5 |
| Td(off)(ns) | - | 15.8 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 11W |
| Qrr(nC) | - | 4.5 |
| VGS(th) | - | 2.6 |
| FET类型 | N 通道 | N-Channel |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2V @ 36uA | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 18A(Ta),40A(Tc) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | - |
| Coss(pF) | - | 67 |
| Qg*(nC) | - | 7.1 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) PG-TSDSON-8(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
￥1.0527
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5,995 | 对比 | ||||||||||||
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AON7410 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 24A 20W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 10 | 对比 | ||||||||||||
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AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NTTFS4840NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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