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BSZ058N03LSGATMA1  与  IRFHM8329TRPBF  区别

型号 BSZ058N03LSGATMA1 IRFHM8329TRPBF
唯样编号 A-BSZ058N03LSGATMA1 A-IRFHM8329TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON Single N-Channel 30 V 6.1 mO 26 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),45W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.1mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 8-PowerTDFN PQFN(3x3)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 16A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.8 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1710pF @ 10V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.6W(Ta),33W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1710pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 15A(Ta),40A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ058N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ058N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
RS1E170GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

17A 3W 6.7mΩ 30V 2.5V HSOP-8 N-Channel -55°C~150°C

¥4.7433 

阶梯数 价格
40: ¥4.7433
50: ¥3.0473
100: ¥2.4819
300: ¥2.0986
500: ¥2.0219
1,000: ¥1.9644
2,490 对比
RS1E170GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

17A 3W 6.7mΩ 30V 2.5V HSOP-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 2,480 对比
IRFHM8329TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.6W(Ta),33W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 6.1mΩ@20A,10V N-Channel 30V 16A PQFN(3x3)

暂无价格 0 对比
AON7426 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 40A 29W 5.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
BSZ058N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ058N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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